Numărul de produs al producătorului:
R6013VNXC7G
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6013VNXC7G-DG
Descriere:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1080 Piese Noi Originale În Stoc
13001925
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6013VNXC7G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6013VN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-R6013VNXC7G
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
