Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6009JND3TL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6009JND3TL1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
2490 Piese Noi Originale În Stoc
13524213
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6009JND3TL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 1.38mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
R6009
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
R6009JND3TL1
Informații suplimentare
Alte nume
R6009JND3TL1TR
R6009JND3TL1DKR
R6009JND3TL1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK10P60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
5042
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK10P60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD8N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3630
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD8N60DM2-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
CDM7-600LR TR13 PBFREE
PRODUCĂTOR
Central Semiconductor Corp
CANTITATE DISPONIBILĂ
2239
DiGi NUMĂR DE PARTE
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTY8N70X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
49
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTY8N70X2-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK8P60W5,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15461
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK8P60W5,RVQ-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247