Numărul de produs al producătorului:
R6009END3TL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6009END3TL1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
5016 Piese Noi Originale În Stoc
12851094
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6009END3TL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
94W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
R6009
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-R6009END3TL1DKR
846-R6009END3TL1TR
846-R6009END3TL1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR110ATM
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
BS170ZL1G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
HUF75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
