Numărul de produs al producătorului:
QS8M12TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS8M12TCR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventar:
13526085
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS8M12TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Putere - Max
1.5W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8M12
Informații suplimentare
Alte nume
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ECH8660-TL-H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2300
DiGi NUMĂR DE PARTE
ECH8660-TL-H-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
