Numărul de produs al producătorului:
IMB1AT110
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
IMB1AT110-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
13525895
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IMB1AT110 Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
-
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Pachet dispozitiv furnizor
SMT6
Numărul de bază al produsului
IMB1
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RN2603(TE85L,F)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
6000
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN2603(TE85L,F)-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
