Numărul de produs al producătorului:
EMG8T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EMG8T2R-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventar:
7975 Piese Noi Originale În Stoc
13523956
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EMG8T2R Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
150mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
EMT5
Numărul de bază al produsului
EMG8T2
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NSB1706DMW5T1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
4465
DiGi NUMĂR DE PARTE
NSB1706DMW5T1G-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
FMC3AT148
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5
IMD8AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6