Numărul de produs al producătorului:
EMF8T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EMF8T2R-DG
Descriere:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13523554
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EMF8T2R Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip tranzistor
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V, 12V
Rezistor - Bază (R1)
47kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz, 320MHz
Putere - Max
150mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
EMT6
Numărul de bază al produsului
EMF8T2
Informații suplimentare
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
