Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
EMD2T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EMD2T2R-DG
Descriere:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
RFQ Online
13523202
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EMD2T2R Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
150mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
EMT6
Numărul de bază al produsului
EMD2T2
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
EMT6 Inner Structure
Documente de fiabilitate
EMT6 DTR Reliability Test
Fișe tehnice
EMD2T2R
Informații suplimentare
Alte nume
EMD2T2RCT
EMD2T2RTR
EMD2T2R-ND
EMD2T2RDKR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PEMD2,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
2902
DiGi NUMĂR DE PARTE
PEMD2,115-DG
PREȚ UNIC
0.06
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
NSBC124EPDXV6T1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3566
DiGi NUMĂR DE PARTE
NSBC124EPDXV6T1G-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EMA4T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
EMG4T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMD6T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG3T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3