Numărul de produs al producătorului:
EMA8T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EMA8T2R-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
Inventar:
13520787
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EMA8T2R Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
-
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
EMT5
Numărul de bază al produsului
EMA8T2
Informații suplimentare
Alte nume
EMA8T2RTR
EMA8T2RCT
EMA8T2RDKR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RN2707JE(TE85L,F)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
1645
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN2707JE(TE85L,F)-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMD6FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
