Numărul de produs al producătorului:

RQA0002DNSTB-E

Product Overview

Producător:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

RQA0002DNSTB-E-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON

Descriere detaliată:

N-Channel 16 V 3.8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount 2-HWSON (5x4)

Inventar:

RFQ Online

12857265

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RQA0002DNSTB-E Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Renesas Electronics Corporation

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

16 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3.8A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

750mV @ 1mA

Vgs (Max)

±5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

102 pF @ 0 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

15W (Tc)

Temperatura

150°C

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

2-HWSON (5x4)

Pachet / Carcasă

2-DFN Exposed Pad

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

RQA0002DNSTB-E-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

2,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NDB6060

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

NTD4806NAT4G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

STTFS010N10MCL

PTNG 100V LL

onsemi

NVMFS5C460NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN