Numărul de produs al producătorului:
NP89N055NUK-S18-AY
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
NP89N055NUK-S18-AY-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 90A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12855354
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NP89N055NUK-S18-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Numărul de bază al produsului
NP89N055
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI040N06N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI040N06N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NP55N055SUG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 55A TO252
RJK5018DPK-00#T0
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
MMSF7P03HDR2G
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
