Numărul de produs al producătorului:
NP82N10PUF-E1-AY
Product Overview
Producător:
Renesas
DiGi Electronics Cod de parte:
NP82N10PUF-E1-AY-DG
Descriere:
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Inventar:
6400 Piese Noi Originale În Stoc
12976878
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NP82N10PUF-E1-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5.8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NP82N10PUF-E1-AY
Pachet standard
121
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF3710STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
15343
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF3710STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
SSP45N20A
35A, 200V, 0.065OHM, N-CHANNEL M