Numărul de produs al producătorului:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12860198
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NP80N055MHE-S18-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP80NF55-08
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
48
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP80NF55-08-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ZSPM9000AI1R
MOSFET N-CH
NP22N055SLE-E1-AZ
TRANSISTOR
NTMFS5C410NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
