Numărul de produs al producătorului:
NP55N055SDG-E1-AY
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
NP55N055SDG-E1-AY-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 55A (Tc) 1.2W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventar:
12860276
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NP55N055SDG-E1-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.2W (Ta), 77W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (MP-3ZK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFR48ZTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
10062
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR48ZTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NP36P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
