Numărul de produs al producătorului:
NP40N10YDF-E1-AY
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
NP40N10YDF-E1-AY-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Inventar:
12856893
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NP40N10YDF-E1-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSON
Pachet / Carcasă
8-PowerLDFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIR876ADP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIR876ADP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMNH10H028SPS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMNH10H028SPS-13-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
NTY100N10G
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
NP22N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 22A TO252
