Numărul de produs al producătorului:
N0602N-S19-AY
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
N0602N-S19-AY-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
2906 Piese Noi Originale În Stoc
12857957
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
N0602N-S19-AY Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7730 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
N0602N-S19
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-1161-N0602N-S19-AY
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTR4170NT3G
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
RJK5034DPP-A0#T2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
NTTFS4985NFTAG
MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
