Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
HAT2279H-EL-E
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
HAT2279H-EL-E-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 30A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount LFPAK
Inventar:
RFQ Online
12857843
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
B
l
n
h
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HAT2279H-EL-E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3520 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
HAT2279
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
HAT2279H
Informații suplimentare
Alte nume
HAT2279H-EL-E-DG
HAT2279H-EL-ECT
HAT2279H-EL-ETR
HAT2279H-EL-EDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN018-80YS,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
8017
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN018-80YS,115-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN013-80YS,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
8400
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN013-80YS,115-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN045-80YS,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5320
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN045-80YS,115-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BUK9Y58-75B,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
16431
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK9Y58-75B,115-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN026-80YS,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
2820
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN026-80YS,115-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS6B85NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
NTMYS4D6N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
NDD04N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN