Numărul de produs al producătorului:
H7N1002LSTL-E
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
H7N1002LSTL-E-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LDPAK
Inventar:
12861702
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
H7N1002LSTL-E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9700 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LDPAK
Pachet / Carcasă
SC-83
Numărul de bază al produsului
H7N1002
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN015-100B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
2021
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN015-100B,118-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NP60N04KUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO263
RJK6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
RJK5015DPK-00#T0
MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
