Numărul de produs al producătorului:
2SK4150TZ-E
Product Overview
Producător:
Renesas
DiGi Electronics Cod de parte:
2SK4150TZ-E-DG
Descriere:
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventar:
19000 Piese Noi Originale În Stoc
12997799
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SK4150TZ-E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7Ohm @ 200mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.7 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
80 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Informații suplimentare
Alte nume
2156-2SK4150TZ-E
Pachet standard
475
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DN2535N5-G
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
199
DiGi NUMĂR DE PARTE
DN2535N5-G-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
2N7002E-7-F-79
DIODE
GSFP0446
MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,