Numărul de produs al producătorului:
2SJ649-AZ
Product Overview
Producător:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
2SJ649-AZ-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
12855075
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SJ649-AZ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
2SJ649
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP28P065T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP28P065T-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RJK6002DPD-00#J2
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
UPA2820T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
RFD14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
