2SD2106-E
Numărul de produs al producătorului:

2SD2106-E

Product Overview

Producător:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

2SD2106-E-DG

Descriere:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 2 W Through Hole TO-220FM

Inventar:

1147 Piese Noi Originale În Stoc
12933182
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SD2106-E Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Renesas Electronics Corporation
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Darlington
Curent - Colector (Ic) (Max)
6 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
120 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ 60mA, 6A
Curent - Întrerupere colector (Max)
10µA
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Putere - Max
2 W
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-2SD2106-E
RENRNS2SD2106-E
Pachet standard
171

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

SMUN2130T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

renesas-electronics-america

2SD1286-Z-E1-AZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN

sanyo

2SB1229T-AA

PNP SILICON TRANSISTOR

onsemi

FP210-TL-E

BIP PNP+PNP 2A 50V