Numărul de produs al producătorului:

QJD1210011

Product Overview

Producător:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

QJD1210011-DG

Descriere:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Descriere detaliată:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

Inventar:

RFQ Online

12840375

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

QJD1210011 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Powerex

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tehnologie

Silicon Carbide (SiC)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200V (1.2kV)

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V

Putere - Max

900W

Temperatura

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Carcasă

Module

Pachet dispozitiv furnizor

Module

Numărul de bază al produsului

QJD1210

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

onsemi

FDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

HUFA76413DK8T

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC