Numărul de produs al producătorului:
PJX8872B_R1_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJX8872B_R1_00001-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventar:
3950 Piese Noi Originale În Stoc
12973155
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJX8872B_R1_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.82nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
34pF @ 25V
Putere - Max
300mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-563
Numărul de bază al produsului
PJX8872
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJX8872B_R1_00001CT
3757-PJX8872B_R1_00001DKR
3757-PJX8872B_R1_00001TR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CAB006A12GM3
SIC 2N-CH 1200V 200A
SP8M51HZGTB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
PJL9809_R2_00001
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOP
