Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PJT7808_R1_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJT7808_R1_00001-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventar:
5859 Piese Noi Originale În Stoc
12970903
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJT7808_R1_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
67pF @ 10V
Putere - Max
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
PJT7808
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
PJT7808
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJT7808_R1_00001CT
3757-PJT7808_R1_00001DKR
3757-PJT7808_R1_00001TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJX8828_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
PJT7800_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
PJL9808_R2_00001
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
PJQ4602_R1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN