Numărul de produs al producătorului:
PJS6461_S1_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJS6461_S1_00001-DG
Descriere:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 3.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventar:
23354 Piese Noi Originale În Stoc
12971493
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJS6461_S1_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-6
Pachet / Carcasă
SOT-23-6
Numărul de bază al produsului
PJS6461
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJS6461_S1_00001TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJW1NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5462A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4443P_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
