Numărul de produs al producătorului:
PJMF900N65E1_T0_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJMF900N65E1_T0_00001-DG
Descriere:
650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 25.5W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventar:
1965 Piese Noi Originale În Stoc
12972289
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
R6Hd
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJMF900N65E1_T0_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
382 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB-F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
PJMF900
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N65E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CTINACTIVE
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJF60R980E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
PJS6461-AU_S1_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD45N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
