PJMF280N65E1_T0_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJMF280N65E1_T0_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJMF280N65E1_T0_00001-DG

Descriere:

650V SUPER JUNCITON MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventar:

1998 Piese Noi Originale În Stoc
12974193
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJMF280N65E1_T0_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB-F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
PJMF280

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJMF280N65E1_T0_00001
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NVTFWS015P03P8ZTAG

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

onsemi

NTTFS4C025NTAG

NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH

panjit

PJP45N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4460AP_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M