PJF60R620E_T0_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJF60R620E_T0_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJF60R620E_T0_00001-DG

Descriere:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 1.04W (Ta), 45W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventar:

12970702
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJF60R620E_T0_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
457 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.04W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
PJF60R620E

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJF60R620E_T0_00001
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
panjit

PJP7NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO3454

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

stmicroelectronics

STI33N60M6

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOB600A70FL

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263