PJF60R190E_T0_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJF60R190E_T0_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJF60R190E_T0_00001-DG

Descriere:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 20A (Tc) 1.04W (Ta), 68W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventar:

RFQ Online
12970209
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJF60R190E_T0_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1421 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.04W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
PJF60R190E

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJF60R190E_T0_00001
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
panjit

PJQ5458A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJL9414_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD50P04_L2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5465A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M