PJF4NA90_T0_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJF4NA90_T0_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJF4NA90_T0_00001-DG

Descriere:

900V N-CHANNEL MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 44W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventar:

12971183
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJF4NA90_T0_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
44W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB-F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
PJF4NA90

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJF4NA90_T0_00001
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
alpha-and-omega-semiconductor

AO3499

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3

panjit

PJP2NA1K_T0_00001

1000V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJA3435_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5466A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M