Numărul de produs al producătorului:
PJD35P03_L2_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJD35P03_L2_00001-DG
Descriere:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 8.4A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
2203 Piese Noi Originale În Stoc
12974649
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJD35P03_L2_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.4A (Ta), 35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1169 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
PJD35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJD35P03_L2_00001TR
3757-PJD35P03_L2_00001CT
3757-PJD35P03_L2_00001DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJMD390N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
NTMFSC1D0N04HL
T8 40V LOW COSS DFN8 5X6 DUAL CO
FDMC7696-L701
PT7 N MLP3.3X3.3 COM
