PJD25N04-AU_L2_000A1
Numărul de produs al producătorului:

PJD25N04-AU_L2_000A1

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJD25N04-AU_L2_000A1-DG

Descriere:

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 5.9A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

12973810
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJD25N04-AU_L2_000A1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
PJD25

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJD25N04-AU_L2_000A1TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SUD09P10-195-BE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

panjit

PJQ5450-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF4NA65H_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET