PJD10N10_L2_00001
Numărul de produs al producătorului:

PJD10N10_L2_00001

Product Overview

Producător:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PJD10N10_L2_00001-DG

Descriere:

100V N-CHANNEL MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta), 34.7A (Tc) 2W (Ta), 34.7W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

12971827
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
veQJ
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PJD10N10_L2_00001 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Ta), 34.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
707 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 34.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
PJD10

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3757-PJD10N10_L2_00001CT
3757-PJD10N10_L2_00001DKR
3757-PJD10N10_L2_00001TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
panjit

PJP60R390E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

panjit

PJQ4444P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD2NA60_L2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJW3P10A_R2_00001

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE