Numărul de produs al producătorului:
SK8603190L
Product Overview
Producător:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics Cod de parte:
SK8603190L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 2.7W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Inventar:
12865252
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SK8603190L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Panasonic
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta), 19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1.01mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1092 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
HSO8-F4-B
Pachet / Carcasă
8-PowerSMD, Flat Leads
Informații suplimentare
Alte nume
P16271CT
P16271DKR
P16271TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
FL6L52010L
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
MTM231100L
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI3-G1