Numărul de produs al producătorului:

SI3442DV

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

SI3442DV-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

RFQ Online

12857705

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SI3442DV Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

365 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.6W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SuperSOT™-6

Pachet / Carcasă

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Numărul de bază al produsului

SI344

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI

FDC653N

PRODUCĂTOR

Fairchild Semiconductor

CANTITATE DISPONIBILĂ

2505

DiGi NUMĂR DE PARTE

FDC653N-DG

PREȚ UNIC

0.23

TIP SUBSTITUT

Similar

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTB65N02RT4G

MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

onsemi

NVATS5A112PLZT4G

MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK

renesas-electronics-america

NP82N04PDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO263

onsemi

NTD2955PT4G

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK