Numărul de produs al producătorului:
RFP50N06
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
RFP50N06-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
664 Piese Noi Originale În Stoc
12848243
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RFP50N06 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
131W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
RFP50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RFP50N06-NDR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTTFS4C65NTAG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDD6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
FQU6N40CTU_NBEA001
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
