Numărul de produs al producătorului:
RFP12N10L
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
RFP12N10L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
4251 Piese Noi Originale În Stoc
12842822
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RFP12N10L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
RFP12N10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RFP12N10L-NDR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD70N03R-001
MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
NTP30N06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
NTD4856N-35G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
