RFD4N06LSM9A

Numărul de produs al producătorului:

RFD4N06LSM9A

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

RFD4N06LSM9A-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

Descriere detaliată:

N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

RFQ Online

12858200

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RFD4N06LSM9A Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

8 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±10V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

30W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-252AA

Pachet / Carcasă

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numărul de bază al produsului

RFD4N

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

RFD4N06LSM9A-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTR4501NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

NVMFS5C430NAFT1G

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

onsemi

NTD6415ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

onsemi

NVTFS003N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN