RFD16N06LESM9A

Numărul de produs al producătorului:

RFD16N06LESM9A

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

RFD16N06LESM9A-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA

Descriere detaliată:

N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

4847 Piese Noi Originale În Stoc

12858472

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RFD16N06LESM9A Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 16A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

62 nC @ 10 V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1350 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

90W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-252AA

Pachet / Carcasă

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numărul de bază al produsului

RFD16N06

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

RFD16N06LESM9A-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

RFD16N06LESM9A-DG

RFD16N06LESM9ACT

RFD16N06LESM9ADKR

RFD16N06LESM9ATR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTP5860NG

MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRR

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

NTQS6463R2

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

onsemi

NTD20N06LT4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK