NVR1P02T1G
Numărul de produs al producătorului:

NVR1P02T1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NVR1P02T1G-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

5951 Piese Noi Originale În Stoc
12856917
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NVR1P02T1G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF @ 5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
NVR1P02

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
NVR1P02T1G-DG
NVR1P02T1GOSDKR
NVR1P02T1GOSCT
NVR1P02T1GOSTR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NTR1P02T3

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK0452DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

renesas-electronics-america

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

onsemi

RFD15P05SM

MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA