Numărul de produs al producătorului:
NVMYS1D3N04CTWG
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMYS1D3N04CTWG-DG
Descriere:
TRENCH 6 40V SL NFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
12475 Piese Noi Originale În Stoc
12843267
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMYS1D3N04CTWG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
43A (Ta), 252A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4855 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK4 (5x6)
Pachet / Carcasă
SOT-1023, 4-LFPAK
Numărul de bază al produsului
NVMYS1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2832-NVMYS1D3N04CTWGTR
NVMYS1D3N04CTWGOSDKR
NVMYS1D3N04CTWGOSCT
NVMYS1D3N04CTWGOSTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NDF04N60ZH
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
AUIRLR2905TRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
NTB5405NG
MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
