Numărul de produs al producătorului:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12845283
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMYS021N06CLTWG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK4 (5x6)
Pachet / Carcasă
SOT-1023, 4-LFPAK
Numărul de bază al produsului
NVMYS021
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
AOTF5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
