Numărul de produs al producătorului:
NVMS4816NR2G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMS4816NR2G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12855864
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMS4816NR2G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 4.5 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
NVMS48
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN3010LSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2390
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3010LSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UPA1919TE-T1-AT
MOSFET P-CH 20V SC-95
NTP65N02RG
MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
NVATS5A302PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
