Numărul de produs al producătorului:
NVMJS2D5N06CLTWG
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMJS2D5N06CLTWG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3.9W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventar:
12844099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMJS2D5N06CLTWG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Ta), 164A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 135µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.9W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-LFPAK
Pachet / Carcasă
SOT-1205, 8-LFPAK56
Numărul de bază al produsului
NVMJS2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NVMJS2D5N06CLTWGOS-DG
NVMJS2D5N06CLTWGOSCT
NVMJS2D5N06CLTWGOS
NVMJS2D5N06CLTWGOSTR
NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
NTGS3441T1
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
NTB75N03L09T4G
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK