Numărul de produs al producătorului:
NVMFSW6D1N08HT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12842159
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMFSW6D1N08HT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 89A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2085 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numărul de bază al produsului
NVMFSW6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVMFSW6D1N08HT1GCT
2832-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GDKR
2832-NVMFSW6D1N08HT1G-488
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NVMFS6B25NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
NTD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
