Numărul de produs al producătorului:
NVMFS5C442NLWFET1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMFS5C442NLWFET1G-DG
Descriere:
T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 130A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12973854
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMFS5C442NLWFET1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Automotive, AEC-Q101
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 130A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVMFS5C442NLWFET1GDKR
488-NVMFS5C442NLWFET1GTR
488-NVMFS5C442NLWFET1GCT
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NP35N04YLG-E1-AY
ABU / MOSFET
PJD35N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5472A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
