Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NVMFS5C410NLWFET1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMFS5C410NLWFET1G-DG
Descriere:
T6 40V SO8FL
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
RFQ Online
12974968
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMFS5C410NLWFET1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Automotive, AEC-Q101
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Ta), 330A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.82mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8862 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVMFS5C410NLWFET1GDKR
488-NVMFS5C410NLWFET1GCT
488-NVMFS5C410NLWFET1GTR
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVMFS5C410NLAFT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1500
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFS5C410NLAFT1G-DG
PREȚ UNIC
1.77
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
NVMFS5C410NLWFAFT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFS5C410NLWFAFT1G-DG
PREȚ UNIC
1.94
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFWS3D0P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
CMS3401-HF
MOSFET P-CH 30V SOT23
G16P03D3
MOSFET P-CH 30V 45A DFN3*3-8L
IPT65R040CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF