Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NVMFD5873NLWFT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVMFD5873NLWFT1G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventar:
RFQ Online
12848948
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVMFD5873NLWFT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Putere - Max
3.1W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numărul de bază al produsului
NVMFD5873
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NVMFD5873NLWFT1G-DG
Fișe tehnice
NVMFD5873NLWFT1G
Informații suplimentare
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVMFD5C672NLT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
350
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFD5C672NLT1G-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPG20N06S4L14AATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
29937
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPG20N06S4L14AATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPG20N06S415ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3754
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPG20N06S415ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPG20N06S4L14ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9550
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPG20N06S4L14ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
EMH2308-TL-H
MOSFET 2P-CH 20V 3A 8EMH
ECH8675-TL-H
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8ECH