Numărul de produs al producătorului:
NVJD4401NT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVJD4401NT1G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
50299 Piese Noi Originale În Stoc
12858177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVJD4401NT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
630mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 20V
Putere - Max
270mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Numărul de bază al produsului
NVJD4401
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NVJD4401NT1GOSDKR
NVJD4401NT1GOSTR
NVJD4401NT1G-DG
NVJD4401NT1GOSCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
UPA1952TE-T1-A
MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
NVMFD5C446NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
