Numărul de produs al producătorului:
NVHL080N120SC1A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVHL080N120SC1A-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
890 Piese Noi Originale În Stoc
12938801
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVHL080N120SC1A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25, -15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
178W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
NVHL080
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCH6424-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
NTMFS6H864NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
MGSF3441VT1
P-CHANNEL MOSFET
